Transistor canal P IRF9953, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 6.1nC. Courant de drain: -2.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: 20V. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 09/09/2025, 15:10