Transistor canal P IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 0.49A. Id(imp): 5.6A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37