Transistor canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V
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Transistor canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F9Z34NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36
IRF9Z34NSPBF
17 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
620pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-19A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Dissipation maximale Ptot [W]
68W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
F9Z34NS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier