Transistor canal P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25