Transistor canal P IRFD9024PBF, DIP4, -60V

Transistor canal P IRFD9024PBF, DIP4, -60V

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Transistor canal P IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 1.6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFD9024PBF. Nombre de bornes: 4. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Vdss (tension drain à source): -60V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16

Documentation technique (PDF)
IRFD9024PBF
23 paramètres
Boîtier
DIP4
Tension drain-source Uds [V]
-60V
Capacité de grille Ciss [pF]
570pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-1.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.28 Ohms @ -0.96A
Dissipation de puissance maxi
1.3W
Dissipation maximale Ptot [W]
1.3W
Délai de coupure tf[nsec.]
15 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
1.6A
Marquage du fabricant
IRFD9024PBF
Nombre de bornes
4
Polarité
MOSFET P
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+175°C.
Tension d'entraînement
10V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de montage
THT
Vdss (tension drain à source)
-60V
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)