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IRF3710PBF

Transistor canal N IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Charge: 86.7nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Courant de drain: 57A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 57A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF3710PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 200W. RoHS: oui. Série: -. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET...

2.95€

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IRF3710S

Transistor canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.27€

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IRF3710SPBF

Transistor canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F3710S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.14€

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IRF3710Z

Transistor canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Charge: 82nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 59A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 160W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 920mK/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

3.30€

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IRF3711S

Transistor canal N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Id(imp): 440A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

2.19€

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IRF3711ZS

Transistor canal N IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohm. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: Buck synchrone haute fréquence. Id(imp): 380A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V...

2.79€

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IRF3808

Transistor canal N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.54€

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IRF450

Transistor canal N IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. Id (T=100°C): 7.75A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204A ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 1600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

28.80€

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IRF510

Transistor canal N IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Charge: 8.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4A, 5.6A. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: -. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 43W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.54 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€

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IRF510PBF

Transistor canal N IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.6A. Courant de drain maxi: 5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Dissipation de puissance maxi: 43W. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 5.6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 43W. RoHS: oui. Série: IRF. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.18€

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IRF520

Transistor canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 9.7A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 48W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.1K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.05€

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IRF520NPBF

Transistor canal N IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain maxi: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF520NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 48W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.36€

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IRF520PBF-IR

Transistor canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.24€

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IRF530

Transistor canal N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Charge: 26nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 10A, 16A. Dissipation de puissance maxi: 88W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 88W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.16 Ohms. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

0.92€

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IRF530N

Transistor canal N IRF530N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 920pF. C (out): 130pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 35 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.56€

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IRF530NPBF-IR

Transistor canal N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 920pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF530NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.98€

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IRF530PBF

Transistor canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO220AB. Courant de drain maxi: 14A. Dissipation de puissance maxi: 79W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 75W. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.24€

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IRF540

Transistor canal N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 560pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRF540N

Transistor canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Charge: 47.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 33A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.35€

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IRF540NPBF

Transistor canal N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO220AB. Courant de drain maxi: 33A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 130W. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

0.99€

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IRF540NPBF-IR

Transistor canal N IRF540NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF540N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.84€

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IRF540NS

Transistor canal N IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Equivalences: IRF540NSPBF. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRF540NSPBF

Transistor canal N IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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IRF540NSTRLPBF

Transistor canal N IRF540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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