Transistor canal N IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V
Quantité
Prix unitaire
1-9
2.33€
10-49
1.70€
50-99
1.46€
100+
1.26€
| Quantité en stock: 592 |
Transistor canal N IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
IRF540NSPBF
17 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
1960pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
33A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.044 Ohms @ 16A
Dissipation maximale Ptot [W]
130W
Délai de coupure tf[nsec.]
39 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
F540NS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
11 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
International Rectifier