Transistor canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V

Transistor canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-9
1.23€
10+
1.02€
Quantité en stock: 1174

Transistor canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF520PBF-IR
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
360pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
9.2A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 5.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
60W
Délai de coupure tf[nsec.]
19 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRF520PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8.8 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)