Transistor canal N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.54€
5-49
1.32€
50-99
1.17€
100-199
1.07€
200+
0.93€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 44

Transistor canal N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 560pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF540
30 paramètres
Id (T=100°C)
20A
Id (T=25°C)
28A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.077 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1700pF
C (out)
560pF
Dissipation de puissance maxi
150W
Fonction
1.3k Ohms
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
53 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
180 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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