Transistor canal N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor canal N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.49€
5-24
2.94€
25-49
2.60€
50-99
2.41€
100+
2.13€
Quantité en stock: 135

Transistor canal N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF3808
33 paramètres
Id (T=100°C)
97A
Id (T=25°C)
140A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0059 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
75V
C (in)
5310pF
C (out)
890pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
330W
Fonction
AUTOMOTIVE MOSFET
Id(imp)
550A
Idss (min)
20uA
Marquage sur le boîtier
IRF3808
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
68 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
93 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier