Transistor canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB

Transistor canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB

Quantité
Prix unitaire
5-9
1.24€
10-49
1.20€
50-199
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200-799
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Transistor canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO220AB. Courant de drain maxi: 14A. Dissipation de puissance maxi: 79W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 75W. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: VISHAY IR. Quantité minimum: 5. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF530PBF
16 paramètres
Vdss (tension drain à source)
100V
Tension drain - source (Vds)
100V
Résistance passante Rds On
0.16 Ohms
Boîtier
TO220AB
Courant de drain maxi
14A
Dissipation de puissance maxi
79W
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
14A
Polarité
MOSFET N
Puissance
75W
Tension d'entraînement
10V
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de canal
N
Type de montage
THT
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
VISHAY IR
Quantité minimum
5