Transistor canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Boîtier: TO220, TO220AB. Charge: 82nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 59A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 160W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 920mK/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14