Transistor canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

Transistor canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.04€
5-24
0.88€
25-49
0.77€
50-99
0.69€
100+
0.57€
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Transistor canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 9.7A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 48W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.1K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF520
38 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
6.5A
Id (T=25°C)
9.2A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.27 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
100V
C (in)
360pF
C (out)
150pF
Charge
16.7nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
9.7A
Dissipation de puissance maxi
60W
Fonction
faible charge d'entrée
Id(imp)
37A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Puissance
48W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
3.1K/W
Td(off)
19 ns
Td(on)
8.8 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
100V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
110 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay