Transistor canal N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 670pF. C (out): 250pF. Charge: 26nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 10A, 16A. Dissipation de puissance maxi: 88W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 88W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.16 Ohms. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14