Transistors IGBT

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 28A. Courant de collecteur maxi (A): 58A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30S. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 34A. Courant de collecteur maxi (A): 68A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 540 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC30UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 23A. Courant de collecteur maxi (A): 92A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 91 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 42A. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40K. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 42A. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC40W. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 55 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50F. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 31 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PC50KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 52A. Courant de collecteur maxi (A): 104A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 63 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PF50W. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 900V. Courant de collecteur Ic [A]: 51A. Courant de collecteur maxi (A): 204A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 29 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 11A. Courant de collecteur maxi (A): 22A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH40K. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 30A. Courant de collecteur maxi (A): 60A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PH40UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 82A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 46 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. C (in): 825pF. C (out): 150pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Diode au Germanium: oui. Courant de collecteur: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Remarque: > 6KV ESD Gate Protection. Remarque: résistances intégrées R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Marquage sur le boîtier: GB14C40L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2.2V

Transistor IGBT. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Courant de collecteur maxi (A): 152A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. C (in): 760pF. C (out): 220pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1630W. RoHS: oui. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor IGBT. C (in): 9830pF. C (out): 570pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT haute vitesse pour la commutation 20-50kHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marquage sur le boîtier: IXYK140N90C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1630W. RoHS: oui. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Courant de collecteur maxi (A): 220A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGW25N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 46A. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 990 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 389 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V