Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Boîtier: TO-220. C (in): 825pF. C (out): 150pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 20A. Diode CE: non. Diode au Germanium: oui. Dissipation de puissance maxi: 208W. Ic(T=100°C): 14A. Marquage sur le boîtier: GB14C40L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: résistances intégrées R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). RoHS: oui. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13