Transistor IGBT IRGB14C40LPBF

Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. Transistor IGBT. C (in): 825pF. C (out): 150pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Diode au Germanium: oui. Courant de collecteur: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Remarque: > 6KV ESD Gate Protection. Remarque: résistances intégrées R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Marquage sur le boîtier: GB14C40L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2.2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 15:25.