Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Boîtier: TO-247. C (in): 3300pF. C (out): 200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 204A. Courant de collecteur Ic [A]: 51A. Courant de collecteur: 51A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Ic(T=100°C): 28A. Ic(puls): 204A. Marquage du fabricant: IRG4PF50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 29 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 900V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Tension de saturation VCE(sat): 2.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13