Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 152A. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:53