Transistor IGBT IXXK200N65B4. Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). C (in): 760pF. C (out): 220pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 480A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 1630W. Fonction: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Ic(T=100°C): 200A. Ic(puls): 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Trr Diode (Min.): -. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:57