Transistor IGBT IXYK140N90C3. Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). C (in): 9830pF. C (out): 570pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 310A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 1630W. Fonction: IGBT haute vitesse pour la commutation 20-50kHz. Ic(T=100°C): 140A. Ic(puls): 840A. Marquage sur le boîtier: IXYK140N90C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 2.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Trr Diode (Min.): -. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:57