Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7. Tension drain-source Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 595pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D3. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1225pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: O4. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1275pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 1.95A. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Idss (min): 1nA. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V. Nombre de connexions: 6. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 35ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.9A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.9A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431CDY-T1-GE3. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1006pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.6A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 8.8A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 12V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 80V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 20uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 80V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532ADY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.13W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 340pF. C (out): 67pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4559EY. Tension drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36/12ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C