Transistor SI4431CDY-T1-GE3

Transistor SI4431CDY-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431CDY-T1-GE3. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1006pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 15:25.