Transistor SI4559EY-E3

Transistor SI4559EY-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4559EY. Tension drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36/12ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 15:25.