Transistor SI2319CDS-T1-GE3

Transistor SI2319CDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7. Tension drain-source Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 595pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 15:25.