Transistors

Transistor. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 35pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 35pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L, HI-FI Audio. Courant de collecteur: 15A. Remarque: hFE 5000...20000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) SAP15P. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 4.4A. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Tension Vds(max): 200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 3.4A. Idss (maxi): 3.4A. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F. Tension Vds(max): 250V. Quantité par boîtier: 1. Remarque: On 13ns, Off 40ns

Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: IGBT haute vitesse. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: G30N60RUFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Courant de collecteur maxi (A): 220A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 550pF. C (out): 62pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Marquage sur le boîtier: G10N60A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 1250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: G15N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 198W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur, SMPS. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: G30N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (out): 8pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGW25N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 46A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 990 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 389 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L7. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L7. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N7. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N9. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M5. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 715pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C