Transistor SI2333DDS-T1-GE3

Transistor SI2333DDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: O4. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1275pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 15:25.