Transistor SI4435BDY

Transistor SI4435BDY. Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.6A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 15:25.