RFP70N06
Transistor canal N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2250pF. C (out): 792pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: RFP70N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...
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