Transistor canal N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14