Transistor canal N SI2304DDS-T1-GE3, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P4. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14