Transistor canal N RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.0125 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14