Transistor canal N SI2306BDS-T1-E3, SOT23, 30V, 30 v. Boîtier: SOT23. Vdss (tension drain à source): 30V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: L6. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: TrenchFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14