Transistor canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

Transistor canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

Quantité
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1-4
2.54€
5-49
2.21€
50-99
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100+
1.80€
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Transistor canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. C (in): 1830pF. C (out): 410pF. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs. Id(imp): 35A. Marquage sur le boîtier: TB. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
RSS095N05
27 paramètres
Id (T=25°C)
9.5A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
0.011 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
45V
C (in)
1830pF
C (out)
410pF
Dissipation de puissance maxi
2W
Fonction
commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs
Id(imp)
35A
Marquage sur le boîtier
TB
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
78 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
4V Drive N-ch MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
ROHM