Transistor canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2020pF. C (out): 600pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Dissipation de puissance maxi: 131W. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: MegaFET. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: RFP50N06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14