Transistor canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14