Transistor canal N SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14