Transistor canal N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14