Transistor canal N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14