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IRFP064N

Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Charge: 113.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 98A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.23€

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IRFP064NPBF

Transistor canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Boîtier: TO247AC. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain maxi: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

9.47€

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IRFP064PBF

Transistor canal N IRFP064PBF, TO-247AC, 60V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

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IRFP140

Transistor canal N IRFP140, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 180W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) IRFP9140. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.56€

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IRFP1405PBF

Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.16€

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IRFP140A

Transistor canal N IRFP140A, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Résistance passante Rds On: 0.51 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 131W. Fonction: PowerMOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.63€

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IRFP140N

Transistor canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: PowerMOSFET. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.33€

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IRFP150

Transistor canal N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

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IRFP150N

Transistor canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Charge: 73.3nC, 110nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 30A, 39A. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 160W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

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IRFP150NPBF

Transistor canal N IRFP150NPBF, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.73€

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IRFP22N50A

Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Dissipation de puissance maxi: 277W. Fonction: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.34€

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IRFP240

Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Charge: 70nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 12A, 20A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.18 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.74€

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IRFP240PBF

Transistor canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 20A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

4.73€

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IRFP250

Transistor canal N IRFP250, TO247, TO247AC. Boîtier: TO247, TO247AC. Charge: 82nC, 123nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 30A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 214W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 700mK/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

3.02€

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IRFP250N

Transistor canal N IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 214W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.87€

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IRFP250PBF

Transistor canal N IRFP250PBF, TO247, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

5.91€

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IRFP254PBF

Transistor canal N IRFP254PBF, TO-247AC, 250V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.86€

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IRFP260N

Transistor canal N IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4057pF. C (out): 603pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.57g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 268 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.78€

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IRFP260NPBF

Transistor canal N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain maxi: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

7.10€

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IRFP260PBF

Transistor canal N IRFP260PBF, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

10.06€

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IRFP264

Transistor canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5400pF. C (out): 870pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide, dv/dt dynamique. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.69€

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IRFP27N60KPBF

Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 500W. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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IRFP2907

Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 75V. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Dissipation de puissance maxi: 470W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.11€

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IRFP2907PBF

Transistor canal N IRFP2907PBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 13000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Dissipation maximale Ptot [W]: 470W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

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