Transistor canal N IRFP250PBF, TO247, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14