Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.02€
5-9
6.39€
10-24
5.95€
25-49
5.56€
50+
4.96€
Quantité en stock: 63

Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 75V. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Dissipation de puissance maxi: 470W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP2907
30 paramètres
Id (T=100°C)
148A
Id (T=25°C)
209A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
3.6M Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
75V
C (in)
13000pF
C (out)
2100pF
Dissipation de puissance maxi
470W
Fonction
AUTOMOTIVE MOSFET
Id(imp)
870A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
130 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
HEXFET ® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
140 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier