Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.09€
5-24
4.60€
25-49
4.22€
50-99
3.90€
100+
3.41€
Quantité en stock: 45

Transistor canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP1405PBF
29 paramètres
Id (T=100°C)
110A
Id (T=25°C)
160A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0042 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
55V
C (in)
5600pF
C (out)
1310pF
Dissipation de puissance maxi
310W
Fonction
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
Id(imp)
640A
Idss (min)
25uA
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
310W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
140 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
70 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay