Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.70€
5-24
2.38€
25-49
2.13€
50-99
1.92€
100+
1.63€
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Transistor canal N IRFP240, TO-247, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Charge: 70nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 12A, 20A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.18 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP240
42 paramètres
Boîtier
TO-247
Id (T=100°C)
12A
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.18 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
200V
C (in)
1300pF
C (out)
400pF
Charge
70nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
12A, 20A
Dissipation de puissance maxi
150W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
80A
Idss (min)
25uA
Marquage du fabricant
IRFP240PBF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Poids
4.6g
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
150W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
0.18 Ohms
Spec info
transistor complémentaire (paire) IRFP9240
Td(off)
45 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
200V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
25
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay