Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
9.77€
5-14
9.05€
15-29
8.53€
30-59
8.13€
60+
7.51€
Quantité en stock: 17

Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 500W. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 paramètres
Id (T=100°C)
18A
Id (T=25°C)
27A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.18 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
600V
C (in)
4660pF
C (out)
460pF
Dissipation de puissance maxi
500W
Fonction
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
Id(imp)
110A
Idss (min)
50uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
43 ns
Td(on)
27 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
620 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Vishay