Transistor canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

Transistor canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.52€
5-9
2.19€
10-24
1.96€
25-49
1.79€
50+
1.57€
+15 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 38

Transistor canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Charge: 73.3nC, 110nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 30A, 39A. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 160W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP150N
38 paramètres
Boîtier
TO-247
Id (T=100°C)
30A
Id (T=25°C)
42A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.36 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1900pF
C (out)
450pF
Charge
73.3nC, 110nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
30A, 39A
Dissipation de puissance maxi
160W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
140A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
160W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
1.1K/W
Td(off)
45 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
100V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
180 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
30
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier