Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.27€
5-9
4.63€
10-24
4.11€
25-49
3.83€
50+
3.36€
Quantité en stock: 31

Transistor canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Dissipation de puissance maxi: 277W. Fonction: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP22N50A
27 paramètres
Id (T=100°C)
13A
Id (T=25°C)
22A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.23 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
500V
C (in)
3450pF
C (out)
513pF
Dissipation de puissance maxi
277W
Fonction
SMPS MOSFET
Id(imp)
88A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
47 ns
Td(on)
26 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
570 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier