Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.18€
5-9
3.89€
10-24
3.67€
25-49
3.46€
50+
3.15€
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Transistor canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Charge: 113.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 98A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP064N
40 paramètres
Boîtier
TO-247
Id (T=100°C)
59A
Id (T=25°C)
110A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.008 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
55V
C (in)
4000pF
C (out)
1300pF
Charge
113.3nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
98A
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
390A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
150W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
1K/W
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(off)
43 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
110 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
25
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier