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IRF8707G

Transistor canal N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

0.90€

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IRF8788PBF

Transistor canal N IRF8788PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F8788. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

1.47€

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IRF9952PBF

Transistor canal N IRF9952PBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F9952. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.47€

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IRF9952QPBF

Transistor canal N IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F9952Q. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

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IRFB11N50A

Transistor canal N IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.52 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1423pF. C (out): 208pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 52nC. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

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IRFB18N50K

Transistor canal N IRFB18N50K, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2830pF. C (out): 3310pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 68A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

4.71€

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IRFB20N50K

Transistor canal N IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2870pF. C (out): 3480pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

4.39€

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IRFB23N15D

Transistor canal N IRFB23N15D, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 17A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 92A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: B23N15D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.93€

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IRFB260N

Transistor canal N IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4220pF. C (out): 580pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 380W. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB260N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.61€

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IRFB3006

Transistor canal N IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.09€

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IRFB3077PBF

Transistor canal N IRFB3077PBF, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 150A. Id (T=25°C): 210A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0028 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 9400pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 370W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 850A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 69 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.16€

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IRFB31N20D

Transistor canal N IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.082 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2370pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 124A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB32N20D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.71€

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IRFB3206

Transistor canal N IRFB3206, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 150A. Id (T=25°C): 210A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 840A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.30€

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IRFB3207

Transistor canal N IRFB3207, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 6920pF. C (out): 600pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.79€

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IRFB3207Z

Transistor canal N IRFB3207Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 6920pF. C (out): 600pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: FB3207. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.61€

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IRFB3306PBF

Transistor canal N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4520pF. C (out): 500pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 160A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 620A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 230W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 31 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.25€

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IRFB3307Z

Transistor canal N IRFB3307Z, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 90A. Id (T=25°C): 128A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 4750pF. C (out): 420pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 512A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.86€

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IRFB3607

Transistor canal N IRFB3607, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3070pF. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 310A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€

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IRFB3607PBF

Transistor canal N IRFB3607PBF, TO220AB. Boîtier: TO220AB. : 'enhanced'. Charge: 56nC. Courant de drain: 80A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 140W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 75V. Tension grille-source: ±20V. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

2.09€

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IRFB4019

Transistor canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 800pF. C (out): 74pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Id(imp): 51A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V...

2.16€

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IRFB4020

Transistor canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 91pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Id(imp): 52A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.9V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

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IRFB4110PBF

Transistor canal N IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 120A. Dissipation de puissance maxi: 370W. Fonction: Commutateur PDP. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 180A. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA. Information: -. MSL: -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Poids: 1.99g. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 370W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. Série: HEXFET. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFB4115

Transistor canal N IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0093 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 5270pF. C (out): 490pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 380W. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Id(imp): 420A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.99g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 86 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V...

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IRFB4227

Transistor canal N IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 19.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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