Transistor canal N IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor canal N IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.00€
5-24
6.36€
25-49
5.37€
50+
4.82€
Quantité en stock: 31

Transistor canal N IRFB3006, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFB3006
29 paramètres
Id (T=100°C)
190A
Id (T=25°C)
270A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0021 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
60V
C (in)
8970pF
C (out)
1020pF
Dissipation de puissance maxi
375W
Fonction
Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS
Id(imp)
1080A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
118 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
44 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier