Transistor canal N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V
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Transistor canal N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4520pF. C (out): 500pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 160A. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 620A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 230W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 31 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14